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傳三星投入2000億韓元,用8英寸晶圓生產第三類半導體

時間:2023-03-31

來源:TechNews科技新報

導語:三星2023年初成立功率半導體工作小組,為制造SiC和GaN半導體的第一步。小組除了三星半導體員工,LED團隊和三星高級技術學院(SAIT)也有參與。

       消息人士表示,分析支出金額,三星已有技術制造某些芯片原型,SiC和GaN常用于最新電源管理零件,SiC因耐用性受汽車產業高度青睞,GaN則因具承受高頻快速開關,無線通訊更常應用,比硅基半導體產品更受高端應用青睞。

  三星2023年初成立功率半導體工作小組,為制造SiC和GaN半導體的第一步。小組除了三星半導體員工,LED團隊和三星高級技術學院(SAIT)也有參與。三星規劃用8英寸晶圓制造GaN和SiC半導體,直接跳過多數功率半導體商用6英寸晶圓切入階段。

  Micro LED也會用8英寸晶圓生產,代表三星高級技術學院使三星Micro LED生產擁有GaN相關技術。

  三星用8英寸晶圓生產SiC和GaN產品令人矚目,因SiC仍以4/6英寸晶圓生產為多,GaN生產則8英寸晶圓逐漸成主流。三星發言人表示,SiC半導體業務處于“研究階段”,尚未做任何決定。

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