去年，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度嚴(yán)重分化，而功率半導(dǎo)體這邊卻風(fēng)景獨(dú)好。當(dāng)整個(gè)行業(yè)都在忙于去庫(kù)存時(shí)，功率半導(dǎo)體成為唯一的例外。

       如今功率半導(dǎo)體大廠紛紛踏上了一條與汽車緊密結(jié)合的路。這究竟是怎樣的一條道路?汽車領(lǐng)域又有著怎樣的魅力，使得眾多業(yè)界巨頭紛紛踏上這條征程?而這一謎題的答案，需從汽車功率半導(dǎo)體的供需格局中去探尋。

       01車用功率半導(dǎo)體，量?jī)r(jià)齊升

       從需求端來(lái)看。當(dāng)前，汽車電氣化需求狂飆，推動(dòng)各種DC-DC模塊、電機(jī)控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、高壓電路等部件需求量急劇攀升，功率半導(dǎo)體作為電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心元器件，需求量也跟著水漲船高。

       根據(jù)Strategy Analytics數(shù)據(jù)，相較傳統(tǒng)燃油車，純電動(dòng)車型中的功率半導(dǎo)體使用量大幅提升，目前占比已達(dá)最高，為55%;其次為MCU，達(dá)到11%;傳感器則占比7%。

       除了使用量大幅增長(zhǎng)之外，新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量也在往上走。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，目前新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量達(dá)458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。受量?jī)r(jià)齊升帶動(dòng)，汽車領(lǐng)域功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額逐年提高,目前占比已經(jīng)達(dá)到35%，金額約為160億美元。

       勢(shì)不可擋的電動(dòng)化趨勢(shì)，量?jī)r(jià)齊升的需求空間，讓車規(guī)功率半導(dǎo)體如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率器件等產(chǎn)品的重要性愈發(fā)凸顯。不管是國(guó)內(nèi)還是國(guó)外，不論是半導(dǎo)體廠商還是車企，皆加快了對(duì)車用功率半導(dǎo)體的布局。

       02供應(yīng)端：明顯的供需失衡

從供應(yīng)端來(lái)看。當(dāng)前，上述多種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品面臨供需失衡。首先從IGBT進(jìn)行分析，IGBT 缺貨問(wèn)題此前就長(zhǎng)期存在。

       2020年起，車規(guī)級(jí)芯片市場(chǎng)持續(xù)遭受產(chǎn)需錯(cuò)配、消費(fèi)電子需求擠占產(chǎn)能等不利因素，導(dǎo)致車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)能逐漸緊張，產(chǎn)品的平均交期也在不斷拉長(zhǎng)，從6-9周直接延長(zhǎng)至26周左右，這種狀況持續(xù)了3年;直到2023年隨著新建產(chǎn)能持續(xù)投入，平均周期得到了緩解，產(chǎn)能緊張的問(wèn)題也有所改善，且到了2023年下半年，車規(guī)級(jí)芯片庫(kù)存開(kāi)始偏高，出現(xiàn)了客戶對(duì)芯片采購(gòu)訂單下單收緊的情形，但在需求結(jié)構(gòu)上，汽車缺芯情況已得到大幅緩解，然而MCU、IGBT依然處于供不應(yīng)求狀態(tài)。

       據(jù)悉，市場(chǎng)上現(xiàn)有車用IGBT產(chǎn)能已基本售罄，保供壓力較大，新擴(kuò)產(chǎn)訂單已被下游廠商提前鎖定。供需錯(cuò)配是造成 IGBT 持續(xù)缺貨的重要原因，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每年以 8% - 10% 的增速擴(kuò)張，而光伏、儲(chǔ)能和新能源汽車的增速遠(yuǎn)超于此，導(dǎo)致下游需求增速遠(yuǎn)超上游供給增速，造成整個(gè)市場(chǎng) IGBT 供需緊張。此外，國(guó)際上游晶圓廠、封裝產(chǎn)能吃緊，大部分 6 英寸、8 英寸的晶圓廠由于成本效益問(wèn)題，很少擴(kuò)大 IGBT 的產(chǎn)能。

       再看MOSFET，車規(guī)級(jí)MOSFET的生產(chǎn)也需要較高的技術(shù)水平和嚴(yán)格的質(zhì)量控制，這限制了部分企業(yè)的生產(chǎn)能力。同時(shí)，由于技術(shù)門(mén)檻較高，新進(jìn)入者難以在短時(shí)間內(nèi)形成有效供應(yīng)。另外，部分海外廠商由于種種原因減少了對(duì)車規(guī)級(jí)MOSFET的生產(chǎn)，導(dǎo)致全球供應(yīng)量減少。這進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的供需矛盾。

       目前，一些領(lǐng)先的車規(guī)級(jí)MOSFET企業(yè)手握大量訂單，但由于生產(chǎn)能力和供應(yīng)鏈限制，難以滿足所有客戶的需求。這進(jìn)一步證明了市場(chǎng)的供需緊張狀況。

       最后看SiC功率器件，雖然各SiC功率器件廠商都在積極擴(kuò)產(chǎn)，但產(chǎn)能的增長(zhǎng)仍難以滿足快速爆發(fā)的市場(chǎng)需求。預(yù)計(jì) 2025 年全球碳化硅襯底與晶圓的產(chǎn)能仍將出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，產(chǎn)能缺口較大。例如，根據(jù)相關(guān)預(yù)測(cè)，2025 年 6 英寸碳化硅晶圓需求在保守與樂(lè)觀情形下分別為 219 萬(wàn)片和 437 萬(wàn)片，而預(yù)計(jì) 2025 年全球晶圓產(chǎn)能為 242 萬(wàn)片，其中中國(guó) 93 萬(wàn)片，全球其他國(guó)家與地區(qū) 149 萬(wàn)片，產(chǎn)能存在明顯不足。

       在一系列供需失衡的背景下，越來(lái)越多的功率半導(dǎo)體公司加入了這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

       03國(guó)際功率半導(dǎo)體龍頭，走在前列

       從當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等國(guó)際廠商處于前列。這些功率半導(dǎo)體大廠積極行動(dòng)，在大方向上全力布局車用功率半導(dǎo)體，以契合汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展之勢(shì)。于小方向上，則專注于第三代半導(dǎo)體，憑借其出眾的性能優(yōu)勢(shì)，巧妙適應(yīng)汽車應(yīng)用場(chǎng)景。

       英飛凌

       英飛凌是目前市場(chǎng)上為數(shù)不多的可以提供全面功率產(chǎn)品組合的企業(yè)，涵蓋了幾乎所有功率器件產(chǎn)品制造能力——硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，功率等級(jí)從微安到兆瓦應(yīng)有盡有，包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型 HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開(kāi)關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT 模塊、智能功率模塊(IPM)、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED 驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換。

       根據(jù)TechInsights發(fā)布的數(shù)據(jù)，在2023年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)上，英飛凌以13.7%的市場(chǎng)份額穩(wěn)居全球第一。

       為應(yīng)對(duì)快速增長(zhǎng)的汽車芯片需求，英飛凌在全球多地投資建廠、擴(kuò)充產(chǎn)能。比如 2023 年 5 月，其在德國(guó)德累斯頓計(jì)劃投資 50 億歐元的 12 英寸晶圓廠動(dòng)工;2024 財(cái)年，計(jì)劃投資于馬來(lái)西亞居林基地的工廠，生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體，還將投資于德國(guó)建設(shè)工廠以生產(chǎn)模擬 / 混合信號(hào)元件和功率半導(dǎo)體。

       此外，英飛凌已與眾多汽車制造商達(dá)成合作協(xié)議。如 2023 年與現(xiàn)代起亞簽署多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議，將在 2030 年前向現(xiàn)代起亞供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品，現(xiàn)代起亞也會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備;2024 年宣布將為小米汽車的 SU7 智能電動(dòng)汽車供應(yīng)碳化硅功率模塊及芯片產(chǎn)品至 2027 年，還為小米汽車供應(yīng)滿足不同需求的其它廣泛產(chǎn)品，如不同應(yīng)用中的 EiceDriver 柵極驅(qū)動(dòng)器和 10 款以上的微控制器。

       安森美

       安森美在碳化硅領(lǐng)域投入大量資源并取得顯著成果。例如，其研發(fā)的碳化硅功率器件具備高效能、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，能有效提升電動(dòng)汽車的續(xù)航里程和充電速度，降低能量損耗。

       為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求，安森美積極擴(kuò)充產(chǎn)能。通過(guò)投資建設(shè)新的晶圓廠和封裝廠，以及對(duì)現(xiàn)有生產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)改造，提高產(chǎn)能和生產(chǎn)效率。例如，2019 年安森美與格芯達(dá)成收購(gòu)協(xié)議，收購(gòu)后者位于美國(guó)紐約的 12 英寸晶圓代工廠，借此獲得 300mm 制程的晶圓制造能力，為其產(chǎn)能提升奠定了基礎(chǔ)。

       在與車企的合作方面，今年 4 月底安森美與中國(guó)吉利汽車集團(tuán)旗下的極氪汽車簽署 SiC 功率元件 LTSA。其 SiC 產(chǎn)品 EliteSiC 還通過(guò)元件及模塊的形式陸續(xù)拿到寶馬、現(xiàn)代、大眾等車企的 LTSA，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成、車載充電系統(tǒng)等關(guān)鍵部位。 

       意法半導(dǎo)體

       意法半導(dǎo)體在 MOSFET 領(lǐng)域領(lǐng)先，且其 SiC 器件也在汽車市場(chǎng)中獲得一定份額。作為全球最大的車用SiC MOSFET供應(yīng)商，意法半導(dǎo)體目前正在持續(xù)擴(kuò)大SiC產(chǎn)能。今年6月初，意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞新建一座200mm(8英寸) SiC制造工廠，主要用于SiC功率器件和模塊的制造以及測(cè)試和封裝，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)，到 2033 年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)每周可生產(chǎn)多達(dá) 15,000 片晶圓。預(yù)計(jì)總投資約為 50 億歐元。意大利政府將在“歐洲芯片法案”框架內(nèi)提供約 20 億歐元的支持。

       此外，意法半導(dǎo)體還與三安光電于2023年6月宣布，雙方擬投入32億美元在中國(guó)重慶共同建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件合資制造工廠。計(jì)劃于2025 年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于 2028年全面落成，將采用意法半導(dǎo)體的碳化硅專利制造工藝技術(shù)，達(dá)產(chǎn)后可生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10000片/周。

       在客戶合作方面，截至2023年底，意法半導(dǎo)體約有160個(gè)design-win項(xiàng)目，分布在100多個(gè)客戶之中，其中包括了與全球眾多汽車廠商供應(yīng)協(xié)議(包括吉利、理想等中國(guó)車廠)以及與空中客車公司(Airbus)在飛機(jī)電氣化方面的合作。

       值得一提的是，2023年4月，意法半導(dǎo)體宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。根據(jù)這份長(zhǎng)期采購(gòu)合同條款，意法半導(dǎo)體將為采埃孚供應(yīng)超過(guò)1,000萬(wàn)個(gè)碳化硅器件。采埃孚計(jì)劃將這些器件集成到 2025 年量產(chǎn)的新型模塊化逆變器架構(gòu)中，利用意法半導(dǎo)體在歐洲和亞洲的碳化硅垂直整合生產(chǎn)線確保完成電驅(qū)動(dòng)客戶訂單。

       04國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司，嶄露頭角

       近年來(lái)，隨著新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，一些國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商也開(kāi)始在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角。

       斯達(dá)半導(dǎo)：自主車規(guī)級(jí)IGBT芯片已大批量生產(chǎn)

       斯達(dá)半導(dǎo)在中國(guó)IGBT市場(chǎng)的市占率排名第一，其優(yōu)勢(shì)在于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車和工控領(lǐng)域。2013年斯達(dá)半導(dǎo)開(kāi)始專注新能源汽車IGBT模塊的研發(fā)，目前其IGBT電壓等級(jí)涵蓋范圍為100V～3300V，率先實(shí)現(xiàn)第七代IGBT產(chǎn)品的研發(fā)。

       關(guān)于上車情況，斯達(dá)半導(dǎo)與國(guó)內(nèi)大部分主流車企已取得合作關(guān)系，當(dāng)前客戶包括比亞迪、廣汽、長(zhǎng)安、奇瑞、北汽等。根據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)2023年年報(bào)顯示，全年IGBT模塊的銷售收入占斯達(dá)半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的91.55%，是其主要產(chǎn)品。去年全年，斯達(dá)半導(dǎo)體生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過(guò)200萬(wàn)套新能源汽車主電機(jī)控制器，其在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高。

       2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車，同時(shí)，其基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)2024年-2030年斯達(dá)半導(dǎo)體新能源汽車IGBT模塊銷售增長(zhǎng)。

       此外，去年斯達(dá)半導(dǎo)海外新能源汽車市場(chǎng)取得重要進(jìn)展，車規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開(kāi)始大批量交付，同時(shí)斯達(dá)半導(dǎo)體新增多個(gè)IGBT/SiC MOSFET主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，海外新能源汽車市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。

       近日，斯達(dá)半導(dǎo)在回答投資者問(wèn)題時(shí)表示，目前，公司自主的車規(guī)級(jí)IGBT芯片已經(jīng)大批量生產(chǎn)并且在新能源汽車行業(yè)大批量應(yīng)用多年，目前幾乎100%的車規(guī)級(jí)IGBT模塊使用公司自主的車規(guī)級(jí)IGBT芯片，終端客戶涵蓋了國(guó)內(nèi)大部分新能源汽車品牌。2023年，公司使用自主IGBT芯片的車規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1客戶開(kāi)始大批量交付。

       時(shí)代電氣：新能源汽車是去年中低壓IGBT產(chǎn)品主要收入來(lái)源時(shí)代電氣的IGBT布局比較特殊，其IGBT器件在城市軌道交通、高速鐵路以及電力機(jī)車方面具有廣泛應(yīng)用。時(shí)代電氣的IGBT模塊在市場(chǎng)中位居第二位，僅次于斯達(dá)半導(dǎo)。其IGBT產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)750V—6500V全電壓覆蓋，在國(guó)內(nèi)IGBT供應(yīng)商中電壓覆蓋范圍最廣，也是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)3300V以上軌交、電網(wǎng)等高壓領(lǐng)域覆蓋的公司。目前，時(shí)代電氣第七代IGBT技術(shù)已研發(fā)成功。

       時(shí)代電氣主供中車旗下商用車，目前已大批量供貨廣汽、東風(fēng)、小鵬、理想等客戶。去年10月30日，時(shí)代電氣發(fā)布的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示，在問(wèn)到車規(guī)IGBT模塊的四季度和明年價(jià)格走勢(shì)時(shí)，時(shí)代電氣表示2022年車規(guī)IGBT模塊大概供100萬(wàn)個(gè)模塊，約70萬(wàn)臺(tái)車，截至2023年三季度，已經(jīng)完成了去年全年的量。全年希望可以做到100萬(wàn)臺(tái)車。 全年來(lái)看，去年時(shí)代電氣中低壓IGBT產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入超過(guò)26億元，主要集中在新能源車主驅(qū)用IGBT和新能源發(fā)電設(shè)備用IGBT產(chǎn)品上。

       士蘭微：汽車IGBT器件、MOSFET器件已大批量出貨

       士蘭微的產(chǎn)品以IGBT單管和IPM模塊為主，在白電和工控領(lǐng)域具備顯著市場(chǎng)地位。上半年業(yè)績(jī)報(bào)告顯示，士蘭微基于自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在比亞迪、吉利、零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長(zhǎng)安等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨;公司用于汽車的IGBT器件、MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)大批量出貨，公司用于光伏的IGBT器件(成品)、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨。同時(shí)，公司應(yīng)用于汽車主驅(qū)的IGBT和FRD芯片已在國(guó)內(nèi)外多家模塊封裝廠批量銷售，并在進(jìn)一步拓展客戶和持續(xù)放量過(guò)程中。

       此外，揚(yáng)杰科技、新潔能、華潤(rùn)微、宏微科技、比亞迪半導(dǎo)體、華微電子等公司均在持續(xù)加速車規(guī)級(jí)芯片國(guó)產(chǎn)化。揚(yáng)杰科技的新能源汽車行業(yè)客戶有寧德時(shí)代、賽力斯、比亞迪等。新潔能的汽車電子客戶有比亞迪、理想、蔚來(lái)、小鵬等。華潤(rùn)微的IGBT產(chǎn)品已經(jīng)成功進(jìn)入了比亞迪、長(zhǎng)城、吉利等知名車企。宏微科技正在和一汽、北汽、長(zhǎng)城等廠商進(jìn)行定點(diǎn)項(xiàng)目認(rèn)證工作;比亞迪半導(dǎo)體所產(chǎn)出的 IGBT 模塊，出貨量規(guī)模龐大，而這些出貨的模塊主要是供其自身使用。今年3月，華微電子還獲得國(guó)際公認(rèn)測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS頒發(fā)的AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。

       車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品大放異彩

       SiC MOSFET是近年來(lái)MOSFET行業(yè)進(jìn)行技術(shù)迭代的主要方向，相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。

       中國(guó)雖然起步較晚，但正在加速發(fā)展，2023年國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)走出國(guó)際大門(mén)。這一年，碳化硅襯底技術(shù)取得了重大突破，8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)展迅速，國(guó)內(nèi)碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)如三安、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等，成功獲得了海外芯片巨頭的認(rèn)可，并與其合作。

       此外，眾多廠商還宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。

       去年斯達(dá)半導(dǎo)體應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)其2024-2030年主控制器用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊銷售增長(zhǎng)。2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體自主的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片在公司多個(gè)車用功率模塊封裝平臺(tái)通過(guò)多家客戶整車驗(yàn)證并開(kāi)始批量出貨。

       值得一提的是，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體和深藍(lán)汽車合資成立重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí)IGBT模塊和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊，預(yù)計(jì)2024年完成廠房建設(shè)并開(kāi)始生產(chǎn)。

       在SiC方面，時(shí)代電氣也同樣有所布局，它有6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化工廠，并開(kāi)發(fā)了三代產(chǎn)品，分別對(duì)應(yīng)1200V-3300V等級(jí)的軌交、電網(wǎng)市場(chǎng)，以及650V-1200V的新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電等市場(chǎng)。

       士蘭微的發(fā)展重心也開(kāi)始有傾向IGBT、SiC這兩大功率器件的跡象，它正在加快汽車級(jí)IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的產(chǎn)能建設(shè)。士蘭微通過(guò)士蘭明鎵對(duì)SiC進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

        此外，還有諸多公司在2023年推出車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品。

        2023年，800V車型開(kāi)始下沉到20萬(wàn)元市場(chǎng)，SiC模塊的滲透率迎來(lái)大幅增長(zhǎng)，這也使得市場(chǎng)上對(duì)車規(guī)SiC MOSFET需求量高速膨脹，同時(shí)以往海外巨頭壟斷的車規(guī)SiC MOSFET市場(chǎng)，也開(kāi)始有越來(lái)越多的Tier 1和整車廠接受國(guó)產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品，給國(guó)產(chǎn)SiC器件廠商帶來(lái)了新的機(jī)遇。

       與此同時(shí)，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體也成為了車企重點(diǎn)布局和投資的熱門(mén)領(lǐng)域之一。車載芯片種類多、型號(hào)多、持續(xù)“缺芯”和車廠重要控制器自研，使得車廠開(kāi)始建立控制器硬件設(shè)計(jì)和供應(yīng)鏈部門(mén)。車廠將直接參與芯片選型，直接建立與芯片廠家溝通渠道，打破原有供應(yīng)鏈的合作模式。車廠和 Tier1 都在開(kāi)始往半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域下沉，通過(guò)投資或與芯片企業(yè)成立合資的形式進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)。他們主要聚焦重要、價(jià)值高的車規(guī)級(jí)芯片并進(jìn)行布局，與芯片企業(yè)共同合作開(kāi)發(fā)。上文提到的比亞迪便是車企布局功率半導(dǎo)體的先行者，除比亞迪外，吉利、長(zhǎng)城、奇瑞等諸多車企均進(jìn)行了相關(guān)布局。