日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，Vishay將在2015上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIMAsia2015，6月24-26日，中國上海）上展出的一系列技術。在上海世博展覽館的4B16展位，Vishay將展出眾多業內領先的創新技術，包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電元件等，為廣泛的應用帶來更高的效率和可靠性。

在PCIMAsia2015上，VishaySiliconix將重點展出采用PowerPAIR?、MICROFOOT?和PowerPAK?8x8L等各種封裝形式的MOSFET產品，包括采用超級結技術的高壓E系列MOSFET（用于太陽能逆變器，支持高效率AC/DC功率轉換）和AEC-Q101認證SQ系列MOSFET（用于汽車應用）。同時展出的還有400V-600VD系列MOSFET；具有低導通電阻×柵極電荷優值(FOM)的TrenchFET?第四代N溝道MOSFET，以及具有0.0016?(-10V)和0.0020?(-4.5V)業內低導通電阻的P通道MOSFET。

此外，VishaySiliconix還將在Vishay的展位演示其80V-100VThunderFET?MOSFET在隔離式總線轉換器級的高效率和高功率密度；其PowerPAIRTrenchFET第四代解決方案在負載點功率級中的最優化電氣及熱性能；及其汽車級溝槽式MOSFET的可重復雪崩耐受能力。

對于汽車和太陽能逆變器應用，VishaySemiconductors將展出采用各種超薄封裝的二極管，包括TMBS?溝槽式MOS勢壘肖特基整流器、具有ESD保護的標準整流器和采用SMPD(TO-263AC)封裝的FREDPt?超快恢復整流器，以及采用SlimSMA(DO-221AC)、SMF(DO-219AB)和SMPC(TO-277A)封裝的FREDPt超快恢復整流器。另外該公司還將展出針對高頻轉換器而優化的600V和650VFREDPt第4代超快恢復二極管，以及旨在提高效率的溝槽式IGBT和采用EMIPAK-1B及EMIPAK-2B封裝的IGBT電源模塊。

Vishay還將重點展出用于太陽能逆變器、風力渦輪機、磁共振成像(MRI)機器和其他高工作電壓應用的光電子產品，特色產品包括具有10mm最小電氣間隙和外部爬電距離的IGBT/MOSFET驅動器、10MBd寬體光耦和采用表面貼裝封裝的高隔離電壓光耦。另外Vishay還將演示其手勢控制傳感器電路板，該電路板由VishaySemiconductorsVCNL4020接近傳感器和兩個VSMF2890RGX01紅外發射器組成。

Vishay展出的無源元器件將包括眾多最新電容、電阻和電感產品。重點展出的電阻產品將包括汽車級高功率（至3W）VishayDalePowerMetalStrip?電阻，和用于功率計和電池管理應用的PowerMetalStrip檢流電阻，以及VishayMCB的用于大功率應用的水冷式繞線電阻。同時展出的還有預接線電阻總成、定制電力電阻總成及負載箱，以及高壓高溫薄膜電阻。重點展出的電感產品包括扼流電感和定制磁性電感。

在PCIMAsia2015上展出的電容產品將包括VishayESTA電力頻率、濾波、中頻和電力電子電容；用于汽車動力總成系統和可再生能源設備，具有高工作溫度范圍（至+150°C）和長使用壽命（至6000小時）的VishayBCcomponents鋁電容，以及用于功率計和智能電表的交流線路額定陶瓷盤式電容。同時還將展出VishayCera-Mite高壓陶瓷直流盤式電容、用于交流濾波和DC-link應用的VishayRoederstein聚丙烯膜電容以及VishayESTA電力頻率、高壓和電力電子電容。

PCIMAsia是中國關于電力電子及其在智能運動、可再生能源和能源管理領域的應用的重要展覽會。欲知更多信息，請訪問http:/www.mesago.de/en/PCC/For_exhibitors/Welcome/index.htm。