聯華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產品公司賑災評估這個微處理器芯片。
聯華電子宣布，該公司推出40納米結合SiliconStorageTechnology（SST）嵌入式SuperFlash非揮發性存儲器的制程平臺。新推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55納米單元尺寸減少20%以上，并使整體存儲器面積縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）芯片于聯華電子40納米SST技術平臺的適用性。
東芝電子元件&存儲產品公司混合信號芯片部門副總松井俊也表示：「我們期待采用聯華電子40納米SST技術有助于提升我們MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的制造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能，亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計畫（BCP）。」
已有超過20個客戶和產品正以聯華電子55納米SST嵌入式快閃存儲器制程進行各階段的生產，包含了SIM卡，金融交易，汽車，物聯網，MCU及其它應用產品。
聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示：「自2015年提供55納米SST嵌入式快閃存儲器成為主流技術以來，我們一直受到客戶的高度關注，藉此制程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用于汽車、工業、消費者和物聯網的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產，并正努力將這嵌入式快閃存儲器解決方案擴展到40納米的技術平臺，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其它晶圓專工客戶。」
聯華電子堅實的分離式閘極存儲器單元SST制程，依據JEDEC所制定的規范標準，具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃～125℃溫度下，數據可保存10年以上。除40納米SST制程外，還有20多家客戶使用該公司的55納米SST技術生產各類應用產品。
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