近日，多個第三代半導體項目動態再刷新，芯聯集成8英寸碳化硅工程批順利下線;南砂晶圓與中機新材展開合作;士蘭微總投資超百億，擬合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目...

　　芯聯集成8英寸碳化硅工程批已順利下線

　　5月27日，據芯聯集成官微消息，其8英寸SiC工程批已于4月20日順利下線，這表明其8英寸SiC離量產越來越近。公開資料顯示，工程批是指芯片設計企業為了測試和驗證新產品，向晶圓代工廠提出小批量訂單，測試驗證新的設計和工藝，并進行后續的優化和調整。

　　自2021年以來，芯聯集成持續投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術的研發和產能建設。其用于車載主驅逆變器的SiC MOSFET器件和模塊已于2023年實現量產。截至2023年12月，芯聯集成6英寸SiC MOSFET產線已實現月產出5000片以上。

　　在今年3月，芯聯集成在投資者調研活動中介紹，其8英寸SiC晶圓和芯片研發進展順利，計劃年內送樣。其工程批在上個月已下線，目前正在驗證過程中，至年底還有半年時間，芯聯集成有望按照此前披露的時間節點實現年內送樣目標，并在2025年進入規模量產。并且，芯聯集成近日透露，其8英寸SiC產線建設進展順利，今年二季度將完成通線。產線建設也將為芯聯集成8英寸SiC量產提供助力，伴隨著8英寸SiC量產，芯聯集成將成為8英寸SiC賽道又一個重量級玩家。

　　成功切入8英寸領域，將助推芯聯集成SiC相關業務增長，尤其是在車用場景。今年以來，芯聯集成與車企頻頻互動，彰顯了其SiC產品布局持續向車規級應用傾斜。今年1月30日，芯聯集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產品的生產供貨協議。按照雙方簽署的協議，芯聯集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產供應商。3月1日，芯聯集成又宣布與理想汽車正式簽署戰略合作框架協議。

　　通過與蔚來、理想等車企合作，芯聯集成能夠與車廠圍繞終端需求共同推動產品化進程，進而共同提升市場競爭力。而伴隨著6英寸向8英寸轉型升級，其材料和器件成本有望進一步下探，有望加速芯聯集成與車企的合作進程并在產品終端應用方面進一步滲透。

　　南砂晶圓與SiC晶圓研磨拋光材料企業中機新材展開合作

　　5月23日，中機新材官微表示，其在5月15日與南砂晶圓簽訂了戰略合作框架協議。

　　中機新材官方消息顯示，其專注于針對硬脆材料及先進制造所需的高性能研磨拋光材料領域，在第三代半導體SiC晶圓研磨拋光應用領域已取得多項關鍵性技術突破，并持續滿足客戶的高質量和穩定性的供應服務。

　　據悉，中機新材首創的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產過程中的環保和成本痛點。耗液量方面，團聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%。目前，中機新材團聚金剛石研磨材料已于2021年投入量產，在此基礎上，中機新材已成功進入比亞迪、天岳先進、同光股份、天域半導體、合盛硅業、晶盛機電等SiC產業鏈頭部企業。此次與南砂晶圓合作，中機新材客戶版圖再下一城。

　　官方資料顯示，南砂晶圓于2018年9月注冊成立，是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售的企業。其官網顯示，公司總部設在廣州市南沙區，現有廣州、中山、濟南三大生產基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產線，公司產品以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底為主。

　　作為國內SiC襯底頭部廠商，南砂晶圓對SiC晶圓研磨拋光材料需求量大。特別是近幾年，南砂晶圓開啟了規模龐大的擴產計劃。其中，南砂晶圓在廣州南沙區布局的總投資9億元的SiC項目。據悉，該項目2023年4月已經試投產，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。此外，南砂晶圓還在積極擴建廠區，其計劃將位于山東濟南的8英寸SiC單晶和襯底項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產基地，投資額達15億元，這是南砂晶圓另一大規模擴產項目。基于此，南砂晶圓未來在SiC晶圓方面需要的耗材需求更大。

　　總投資超百億，士蘭微擬合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目

　　5月21日，士蘭微發布公告稱，公司擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司增資41.50億元，簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。

　　本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.60 億元增加至42.10億元。士蘭微對于士蘭集宏的持股比例將由原本的100%降至25.1781%。廈門新翼科技實業有限公司將成為士蘭集宏的控股股東，持股51.0689%，廈門半導體投資集團有限公司持股23.7530%。

　　公告顯示，結合各方在技術、市場、團隊、運營、資金、區位和區位政策以及營銷等方面的優勢，各方合作在廈門市海滄區合資經營項目公司“廈門士蘭集宏半導體有限公司”，以項目公司負責作為項目主體建設一條以 SiC-MOSEFET 為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線，產能規模6萬片/月。

　　據悉，第一期項目總投資70億元，其中資本金42.1億元，占約60%;銀行貸款27.9億元，占約40%。第二期投資50億元，在第一期的基礎上實施(第二期項目資本結構暫定其中30億元為資本金投資，其余為銀行貸款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產能力，與第一期的3.5萬片/月的產能合計形成6萬片/月的產能。

　　合作各方擬將項目公司建成一家符合國家集成電路產業發展規劃、開展以第三代半導體功率器件研發、制造和銷售為主要業務的半導體公司，并具有國際化經營能力，以取得良好的經濟、社會效益;支撐帶動終端、系統、IC設計、裝備、材料產業鏈上下游企業在廈門集聚，為中國集成電路產業發展助力。

　　值得一提的是，在此前舉行的士蘭微2023年度暨2024年第一季度業績暨現金分紅說明會上，公司總經理鄭少波表示，目前公司碳化硅訂單處于客戶追交付狀態，預計碳化硅主驅模塊裝車5月單月將超過8000輛、6月 單月將超過2萬輛;4月份公司6英寸、8英寸基本滿產，5英寸、12英寸產能利用率80%左右。

　　尊陽電子第三代功率半導體集成電路封裝項目成功奠基，總投資近13億

　　5月27日，江蘇尊陽電子科技有限公司舉行了“第三代功率半導體集成電路封裝項目”的奠基儀式。

　　據介紹，尊陽電子二期項目“第三代功率半導體集成電路封裝項目”投資2.65億，搭建生產車間和基礎設施;平臺化企業投資9.98億，建設生產設備。項目預計在2027年12月全部達產，達產后實現年銷售收入約11億元，年稅收約7000萬元。

　　公開資料顯示，尊陽電子成立于2021年5月，主要為芯片設計公司提供高水平的封測平臺支持的企業。尊陽電子表示，該項目將采用先進的封裝技術，提高產品的性能和可靠性，滿足市場對高性能半導體產品的需求。

　　安建半導體功率半導體模塊封裝項目簽約落戶浙江

　　5月20日，據浙江海寧經開區消息，浙江海寧經濟開發區、海昌街道項目集中簽約儀式在海寧(中國)泛半導體產業園服務中心舉行，其中包括安建半導體功率半導體模塊封裝項目。消息披露，安建半導體功率半導體模塊封裝項目總投資1億元，或打造汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線。

　　今年4月，安建半導體完成了超過2億元的C1輪融資，本輪募集資金將主要用于開發及量產汽車級IGBT與SiC MOS產品平臺、擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線、擴充銷售及其他人才團隊、增加營運現金流儲備等。

　　官微資料顯示，安建半導體成立于2021年7月，至今已實現IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三條產品線量產，得到了國內多家應用客戶的認可。目前，安建半導體已推出具有完全自主產權的1200V-17mΩSiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產線和開發新一代GaN技術和產品。

　　芯長征封測產線正式通線，涉及第三代半導體芯片及模組系列

　　近日，芯長征科技官微宣布，其新能源電子封測產線于5月9日在中國榮成順利通線并隆重舉行通線儀式。

　　據介紹，該項目主要建設新能源汽車/光伏功率模組以及第三代半導體材料碳化硅的模組生產測試線，建成后，項目可年產新能源汽車及光伏功率模組約60萬只、年產功率器件檢測設備約500臺，實現產值3億元。

　　企查查顯示，芯長征成立于2017年，是一家集新型功率半導體器件設計研發與封裝制造為一體的企業，各類MOS、IGBT和SiC系列產品均已獲得客戶認可，實現批量出貨。今年2月，中金公司發布了《關于江蘇芯長征微電子集團股份有限公司首次公開發行股票并上市輔導備案報告》，計劃年中進行輔導考試。

　　總投資55億，晶隆半導體外延材料產業園EPC項目封頂

　　據中電二公司公眾號消息，5月25日，滁州半導體外延材料產業園EPC項目封頂儀式順利舉行。

　　據了解，滁州半導體外延材料產業園項目為滁州市南譙區重點項目，由安徽晶隆半導體科技有限公司投資建設，項目總投資55億，2023年10月開工，占地面積250畝，建筑面積18萬平。

　　此前，據滁州市南譙區人民政府消息，該項目設計年產6-8英寸硅外延片540萬片、4英寸以下碳化硅外延片90萬片，將加快推動滁州半導體產業發展，助力安徽打造半導體產業發展新增長極。

　　安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目(生活服務設施區)全面封頂

　　據湖南六建華西公司公眾號披露，近日，安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目(生活服務設施區)已于5月18日全面封頂。

　　據悉，該項目由湖南三安(持股51%)和意法半導體(持股49%)合資建設，總投資約為230億元，全廠建成后，可年產車規SiC MOSFET芯片52萬片。作為重慶市政府招商引資的重點項目，安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目同時也是我國芯片行業第一個8英寸襯底項目。

　　另外，湖南項目方面，三安湖南碳化硅半導體產業化項目二期正在穩步推進中，將全部導入國際領先的8英寸生產設備和工藝，計劃今年三季度投產。整個項目達產后將實現總計年產48萬片的規模。

　　年產120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產線9月底試生產

　　據涪陵發布公眾號消息，5月24日，在重慶涪陵高新區(綜保區)電子信息標準化廠房A棟，重慶新陵微電子有限公司的廠房正在加緊裝修中。預計9月底，這里將建成國內領先的特色工藝晶圓產線，滿足國內對高端功率半導體芯片的迫切需求。

　　據悉，重慶新陵微電子有限公司是由寧波達新半導體有限公司與涪陵區新城區開發(集團)有限公司共同投資于2022年7月成立的一家從事功率半導體芯片制造的高科技企業，注冊資本2億元。該公司投資約20億元，建設一條年產120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產線，主要產品包括IGBT、MOSFET等功率半導體芯片，產品應用將覆蓋新能源汽車、智能電網、光伏儲能、風力發電、工業應用、白色家電等領域。

　　該公司廠務經理曾鵬程介紹，現在我們生產基地一期廠房已經完成無塵室車間、動力車間、特氣車間等地面隔墻、通風管路鋪設，正在進行管路安裝，完成了總工程量的50%。二期配套設施廠房正在進行招標前期工作。近期將進行一期廠房設備安裝施工，力爭9月底實現試生產。