曾經，先進的半導體制造工藝是Intel最為自豪的地方，也是它的制勝法寶，如今臺積電、三星兩家卻銜枚疾進、你追我趕。在4nm大戰，三星搶先導入將EUV，研發GAAFET。
晶圓代工之戰，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰仍在激烈廝殺。AndroidAuthority報道稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設備，又投入研發能取代「鰭式場效晶體管」（FinFET）的新技術，目前看來似乎較占上風。
AndroidAuthority報導，制程不斷微縮，傳統微影技術來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV，才能準確刻蝕電路圖。5nm以下制程，EUV是必備工具。三星明年生產7nm時，就會率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競賽搶先起跑，可望加快發展速度。
相較之下，臺積電和格羅方德的第一代7nm制程，仍會使用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用EUV。
制程微縮除了需擁抱EUV，也需開發FinFET技術接班人。晶體管運作是靠閘極（gate）控制電流是否能夠通過，不過芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來FinFET恐怕不敷使用，不少人認為「閘極全環場效晶體管」（Gate-all-aroundFET，GAAFET）是最佳解決方案。
今年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發布全球首見的5nm晶圓技術，采用EUV和GAAFET技術。三星路徑圖也估計，FinFET難以在5nm之后使用，4nm將采用GAAFET。盡管晶圓代工研發不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示，計劃最快在2020年生產4nm，進度超乎同業，也許有望勝出。
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